SanDisk ha dado un paso significativo al fabricar y encapsular los primeros chips de prueba de su tecnología 3D Matrix Memory sobre obleas de silicio de 300 mm. Esta innovación representa una alternativa a la DRAM, desarrollada desde 2017 como una nueva clase de memoria que se sitúa entre la DRAM y la memoria flash NAND.
La 3D Matrix Memory se basa en una arquitectura tridimensional de matrices apiladas, en lugar de depender de estructuras convencionales. SanDisk sostiene que esta tecnología podría ofrecer un rendimiento cercano al de la DRAM, pero con una densidad mucho mayor, aspirando a alcanzar hasta cuatro veces la capacidad de la DRAM a un coste por bit equivalente a aproximadamente la mitad.
Prototipos y pruebas
Los nuevos prototipos se elaboraron sobre obleas estándar de 300 mm y luego se encapsularon para realizar pruebas adicionales. La empresa ha mostrado matrices de memoria funcionales con capacidades de varios gigabits, afirmando que el rendimiento de estos prototipos se aproxima a las especificaciones previstas para el producto final. Este avance es un hito importante en comparación con las primeras pruebas de laboratorio, aunque aún queda un largo camino hacia la producción masiva.
Perspectivas de comercialización
SanDisk considera la 3D Matrix Memory como un proyecto a largo plazo y no ha definido una fecha para su lanzamiento comercial. En su hoja de ruta anterior, se mencionaron muestras de 32 y 64 gigabits, pero sin indicar su disponibilidad. Para que esta memoria llegue al mercado, la compañía deberá:
- Mejorar el proceso de fabricación.
- Aumentar la capacidad.
- Comprobar la fiabilidad a largo plazo.
- Demostrar que el coste se mantenga por debajo del de la DRAM convencional.
Aplicaciones previstas
La 3D Matrix Memory podría desempeñar un papel crucial en centros de datos y sistemas de inteligencia artificial, con aplicaciones que incluyen:
- Caché para procesamiento de IA.
- Ampliación de memoria para modelos con contextos extensos.
- Bases de datos en memoria.
- Memoria CXL para servidores y centros de datos.
- Sistemas que requieran alta capacidad sin el coste asociado a grandes cantidades de DRAM.
No competirá directamente con la HBM en términos de ancho de banda máximo, pero su principal ventaja radica en ofrecer más capacidad a menor coste, actuando como una capa adicional entre la memoria ultrarrápida y el almacenamiento.
Otros desarrollos de SanDisk
Además, SanDisk está trabajando en High Bandwidth Flash, una tecnología que apila chips NAND convencionales para aumentar el ancho de banda. Este proyecto está más cerca de la comercialización, con el primer diseño ya completado y las primeras muestras de validación esperadas para 2027. Aunque la 3D Matrix Memory sigue siendo principalmente un proyecto de investigación, la fabricación de prototipos multicapa en obleas de 300 mm demuestra que SanDisk ha superado una etapa técnica relevante.
Fuente: Pisapapeles
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